С 07.05.2016 сайт не сопровождается. Перейти на новую версию сайта
Версия для слабовидящих

Научно-образовательный центр «Нанотехнологии» ТУСУР

Научно-образовательный центр «Нанотехнологии» ТУСУР (НОЦ НТ) организован в 2008 г. в рамках ФЦП "Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008 - 2010 годы" при объеме финансирования 129, 5 млн. руб. Строительство первой очереди НОЦ закончено в 2009 г. по договору о совместной деятельности с ЗАО "НПФ "Микран". НОЦ НТ - один из немногих вузовских центров в России, ориентированный на проблемы СВЧ наноэлектроники (в основном на базе материалов GaAs и GaN).

Основным изделием СВЧ наноэлектроники являются наногетероструктурные МИС СВЧ диапазона, позволяющие создавать уникальные радиоэлектронные устройства и системы в частотном диапазоне до 1ТГц.

Основные задачи НОЦ НТ:

  • Проведение передовых научных исследований в области СВЧ наноэлектроники, нанофотоники, нанотехнологий и наноматериалов.
  • Подготовка и переподготовка кадров высшей квалификации и специалистов в этих областях.

В рамках первой задачи в НОЦ будут разрабатываться современные опытные технологии изготовления гетероструктурных СВЧ МИС, а также проектироваться и изготавливаться опытные партии МИС различного назначения с топологической нормой до 30-50 нм (частотный диапазон до 200-300 ГГц). В дальнейшем эти технологии и МИС будут передаваться в производство для промышленного выпуска.

В рамках второй задачи в НОЦ будут готовиться кадры высшей квалификации для вузов, промышленных и проектных организаций, а также специалисты для производства СВЧ МИС.

Состав НОЦ «Нанотехнологии»:

  • Исследовательская технологическая линия по изготовлению СВЧ МИС на основе GaAs, InP и GaN - первоначально главные операции, включая нанолитографию (Raith-150 Two) с разрешением 20 нм, осаждение металлов, нанесение резиста и др.
  • Дизайн-центр по проектированию СВЧ МИС
  • Исследовательская технологическая линия по сборке и корпусированию СВЧ модулей на основе МИС
  • Лаборатория измерений и испытаний, прецизионное СВЧ измерительное оборудование (до 50 ГГц)
  • Учебно-исследовательские лаборатории (химическая, полупроводниковой электроники, нанофотоники, электроники и др.)

Направления исследований НОЦ «Нанотехнологии»:

  • Разработка технологий изготовления гетероструктурных СВЧ МИС.
  • Разработка методов измерения параметров гетероструктур, характеризации СВЧ МИС и функциональных элементов.
  • Создание библиотек моделей элементов СВЧ МИС.
  • Разработка программного обеспечения для автоматизированного проектирования СВЧ устройств и управления измерительными комплексами.
  • Разработка на базе MESFET-, pHEMT- и mHEMT-технологий СВЧ МИС для радиоэлектронных устройств и систем различного назначения.

Отечественные организации-партнёры:

  • ЗАО НПФ «Микран» (г. Томск);
  • ФГУП НИИПП (г. Томск).
  • ИСВЧПЭ РАН, г. Москва.
  • РОСНАНО, Фонд инфраструктурных и образовательных программ РОСНАНО

Основные результаты. Совместно с ИСВЧПЭ РАН и НПФ «Микран» в 2007 г. на базе 0,15 мкм GaAs pHEMT технологии разработана и изготовлена первая в России опытная партия гетероструктурных монолитных малошумящих усилителей (МШУ) диапазона 6-12 ГГц, используемого для АФАР в авионике. Совместно с ИСВЧПЭ РАН в 2008 г. на базе 0,13 мкм GaAs pHEMT технологии разработан первый в России комплект гетероструктурных монолитных МШУ диапазона 6-12 ГГц, параметры которых находятся на уровне лучших зарубежных аналогов (коэффициент шума 1,4-1,6 дБ). Совместно с ИСВЧПЭ РАН в 2009 г. на базе 0,13 мкм GaAs mHEMT технологии изготовлен первый в России гетероструктурный монолитный МШУ миллиметрового диапазона волн (30-37 ГГц).

В 2010 г. выполнена разработка образовательной программы переподготовки и УМК, ориентированной на потребности проектных компаний ГК «Роснанотех», реализующих инвестиционные проекты в области промышленного производства конкурентоспособных наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ диапазона и дискретных полупроводниковых приборов при финансовой поддержке ГК РОСНАНО.

Совместно с ЗАО «НПФ «Микран» в 2010- 2012 г. разработаны технологические процессы производства GaAs и GaN СВЧ гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, предназначенные для производства специализированных СВЧ GaAs и GaN монолитных интегральных схем для использования в системах фиксированной связи и беспроводного широкополосного доступа (ШБД) стандарта WiMax IEEE 802.16d и IEEE 802.16e, высокотехнологичной многоканальной РЛС с высоким разрешением по дальности, контрольно-измерительной аппаратуры СВЧ с диапазоном частот до 50 ГГц.

2012- 2015 гг. совместно с ЗАО «НПФ «Микран» ведутся работы по созданию микросхем СВЧ для применения в радарах миллиметрового диапазона.

Зарубежные организации-партнеры:

  • Исследовательский институт СВЧ и оптической связи XLIM при Лиможском университете (г. Лимож, Франция);
  • Французское космическое агентство CNES (г. Тулуза, Франция);
  • Голландский астрономический центр ASTRON (г. Двингелоо, Нидерланды);
  • фирма OMMIC (г. Орсэ, Франция);
  • фирма Applied Wave Research (США).

Основные результаты. В рамках Европейской программы INTAS выполнено нескольких международных проектов. Проекты направлены на совместную разработку СВЧ МИС с экстремальными характеристиками для применения в области космических и радиоастрономических исследований, а также на создание методов и программного обеспечения для автоматизированного проектирования СВЧ МИС.

Совместно с XLIM и CNES (Франция) разработан монолитный МШУ диапазона 27-31 ГГц с рекордно низким коэффициентом шума (1,7 дБ) и фильтрующими функциями, что позволило улучшить характеристики системы космической связи (0,1 мкм GaAs mHEMT технология фирмы OMMIC, Франция).

Совместно с ASTRON (Голландия) по этой же технологии разработан монолитный МШУ диапазона 0,3-1,2 ГГц для гигантского радиотелескопа, который строится в рамках Европейского проекта SKADS.